| 代码 | 名称 | 当前价 | 涨跌幅 | 最高价 | 最低价 | 成交量(万) |
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在HBM3E价格依旧节节攀升之际 ,存储龙头们已围绕HBM4展开了新一轮的市场份额之争。
据TheElec报道,SK海力士将其位于清州的M15X工厂的量产计划提前了四个月,将于明年2月开始量产用于HBM4的1b DRAM晶圆 。产能方面 ,该工厂初期规划约为1万片,预计到明年底将提升至数万片。相关人士透露:“设备投入和安装工作正在进行,计划已进行调整 ,以实现更快、更大规模的量产。 ”
值得一提的是,M15X又被称作“HBM4专用工厂”,业内人士认为 ,此次加速生产表明了SK海力士对HBM4供应的信心 。
截至目前,SK海力士已完成M15X早期投产的技术准备工作,其中就包括完成1b HBM4工艺的认证,其采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造 ,并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。
与此同时,英伟达搭载HBM4的Vera Rubin 200平台出货预期愈发明确。市场预测显示,英伟达GB300 AI服务器机柜明年出货量有望达到5.5万台 ,同比增长129% 。Vera Rubin 200平台预计将于明年第四季度开始出货,部分厂商订单能见度已远至2027年。
三巨头竞逐HBM4份额
时至今日,SK海力士在全球HBM市场仍占据龙头地位。
市场调研机构Counterpoint Research数据显示 ,今年第三季度,SK海力士全球HBM营收市占率达57%,虽有下滑但仍好于去年同期 。与之相比 ,三星与美光的市占率则分别为22%和21%。
然而,未来上述格局或将被撼动。据韩国《每日经济新闻》日前消息,英伟达相关团队访问了三星 ,通报了 HBM4 系统级封装(SiP)的测试进展。会议透露,在运行速度与功耗效率两项核心指标上,三星的产品在所有内存厂商中取得了最佳表现 。
基于其优异表现,英伟达也为三星HBM4的供应亮起了绿灯。据悉 ,英伟达要求的明年三星HBM4供应量大大超过了其内部预测值。 预计这将对三星业绩的改善起到显著作用 。三星内部人士表示:“与上次的HBM3E不同,我们在HBM4开发上处于领先地位。”
据报道,三星考虑到其平泽P4生产线的增设速度和生产能力等,将于明年第一季度正式签订供应合同。 预计将从第二季度开始正式供应 。
除此之外,美光也参与到HBM4的竞争之中。最新财报显示 ,其HBM4将在2026年第二财季按计划量产并实现高良率产能爬坡。HBM4在基础逻辑芯片和DRAM核心芯片上采用先进的CMOS和先进金属化工艺技术,这些芯片均由美光自主设计与制造 。
华泰证券指出,2026年全球三大存储企业的资本开支或将集中在HBM/DRAM上。根据TrendForce预测 ,2026年DRAM位增长率或将达到26%。存储超级周期有望成为2026年半导体行业重要主线,但呈现结构性分化特征,Batch ALD设备 、测试设备及封装加工设备的市场需求有望明显增长 。
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